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STD15N65M5中文资料

STD15N65M5图片

STD15N65M5外观图

  • 大小:1088KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
  • 现有数量:30现货
  • 价格:1 : ¥40.15000剪切带(CT)2,500 : ¥20.15020卷带(TR)
  • 系列:MDmesh? V
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):816 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):85W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

STD15N65M5供应商

更新时间:2023-01-01 17:41:50
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